Mitsubishi Electric ประกาศทุ่มเงินลงทุนกว่า 1 แสนล้านเยน (ประมาณ 25,000 ล้านบาท) สร้างโรงงานแห่งใหม่ในญี่ปุ่น มุ่งเพิ่มกำลังการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ผลิตจาก silicon carbide ให้เป็น 5 เท่า

โดยบริษัทวางแผนที่จะปรับปรุงโรงงานซึ่งแต่เดิมใช้เป็นฐานการผลิตโมดูลจอแสดงผล LCD ในเมืองคิคุจิ จังหวัดคุมาโมโตะขึ้นใหม่ ซึ่งโรงงานดังกล่าวจะกลายเป็นโรงงานแห่งแรกของ Mitsubishi ที่จะดำเนินการผลิตแผ่นเวเฟอร์ขนาด 200 มม. และมีกำหนดจะเริ่มดำเนินการในเดือนเมษายน 2026

นอกจากนี้ บริษัทยังวางแผนที่จะใช้เงินลงทุนประมาณ 10,000 ล้านเยน (ประมาณ 2,500 ล้านบาท) เพื่อสร้างโรงงานใหม่ในจังหวัดฟุกุโอกะด้วย โดยจะใช้เป็นฐานสำหรับรวบรวมการดำเนินงานที่กระจายอยู่ทั่วญี่ปุ่น ขณะที่ในปีที่ผ่านมา (ปี 2022) บริษัทได้เพิ่มกำลังการผลิตเซมิคอนดักเตอร์จากซิลิคอนมาตรฐานที่โรงงานในจังหวัดฮิโรชิม่า และในปี 2024 ก็มีแผนที่จะเริ่มการผลิตแผ่นเวเฟอร์ขนาด 300 มม.จำนวนมาก

Mitsubishi Electric เริ่มการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์จาก silicon carbide ในปี 2010 โดยรายงานของบริษัทวิจัย Yole Developpement ของฝรั่งเศส ระบุว่าในปี 2021 มิตซูบิชิมีส่วนแบ่งการตลาดเป็นอันดับที่หกของตลาดโลก หากนับจากบรรดาผู้ผลิตสัญชาติญี่ปุ่น ถือว่ามิตซูบิชิตามหลังแค่ Rohm ซึ่งอยู่ในอันดับที่สี่เท่านั้น ทั้งนี้ บริษัทได้ตั้งเป้ารายได้จากอุปกรณ์กึ่งตัวนำไฟฟ้าไว้ที่ 240,000 ล้านเยน (ประมาณ 61,000 ล้านบาท) ในปีงบประมาณ 2025 พร้อมตั้งเป้าอัตรากำไรจากการดำเนินงานไว้ที่ 10%


References :

NIKKEI ASIA


You May Also Like :

0 Shares:
You May Also Like