Kioxia Holdings ผู้ผลิตชิปรายใหญ่ของญี่ปุ่น เตรียมเริ่มต้นการผลิตหน่วยความจำ NAND Flash ยุคใหม่ (Generation 10) ในปี 2026 ณ โรงงานคิตาคามิ จังหวัดอิวาเตะ เพื่อรองรับความต้องการพื้นที่จัดเก็บข้อมูลมหาศาลจากดาต้าเซ็นเตอร์ด้านปัญญาประดิษฐ์ (AI) ที่กำลังเติบโตอย่างก้าวกระโดดทั่วโลก
ชิป Generation 10 นี้ได้รับการพัฒนาให้มีความจุสูงขึ้นอย่างมาก โดยเพิ่มจำนวนชั้นเลเยอร์ที่ซ้อนกันเป็น 332 ชั้น จากเดิม 218 ชั้นใน Generation 8 ส่งผลให้มีความจุต่อหน่วยพื้นที่เพิ่มขึ้นถึง 59% และมีความเร็วในการรับส่งข้อมูลสูงขึ้น 33% อีกทั้งยังช่วยลดการใช้พลังงานได้อย่างมีประสิทธิภาพ ซึ่งถือเป็นคุณสมบัติสำคัญที่กลุ่มผู้ประกอบการดาต้าเซ็นเตอร์ต้องการเพื่อจัดการกับระบบประมวลผลขนาดใหญ่
กลยุทธ์ของ Kioxia คือการแยกฐานการผลิตอย่างชัดเจน โดยโรงงานยกไกจิในจังหวัดมิเอะจะเน้นการผลิตชิปประสิทธิภาพสูงสำหรับสมาร์ทโฟน ขณะที่โรงงานคิตาคามิจะกลายเป็นฐานการผลิตหลักสำหรับชิปความจุสูงที่ต้องใช้เทคโนโลยีการผลิตที่ซับซ้อนและการลงทุนในอาคาร Fab2 ที่ทันสมัย โดยการจัดสรรทรัพยากรเช่นนี้จะช่วยให้บริษัทสามารถควบคุมต้นทุนและตอบสนองต่อความต้องการของตลาดที่หลากหลายได้อย่างคล่องตัว
การประกาศแผนการผลิตในครั้งนี้ไม่เพียงแต่เสริมความแข็งแกร่งให้กับ Kioxia แต่ยังเป็นการตอกย้ำภาพลักษณ์ของจังหวัดอิวาเตะในการก้าวขึ้นเป็นศูนย์กลาง (Hub) ด้านเซมิคอนดักเตอร์ที่สำคัญของญี่ปุ่น ซึ่งในปัจจุบันมีบริษัทชั้นนำอย่าง Tokyo Electron และซัพพลายเออร์รายสำคัญในอุตสาหกรรมชิปเข้าไปตั้งฐานการผลิตในพื้นที่ดังกล่าวอย่างต่อเนื่องเพื่อสร้างระบบนิเวศทางธุรกิจที่สมบูรณ์แบบในระดับโลก
References :
